Der Halbleiterhersteller Infineon baut in Villach eine zukunftsorientierte GaN-Fertigung auf. Vorgesehen ist die Herstellung von Leistungshalbleitern auf 300-Millimeter-Wafern. Die Anlage soll hohe Produktionsmengen bei effizienter Flächennutzung ermöglichen. Bis 2034 investiert das Unternehmen ungefähr 1,1 Milliarden Euro. Bereits vorhandene Reinräume werden als Basis für den Ausbau verwendet. Die Serienproduktion soll zum Ende des Jahres 2027 beginnen. Der Kapazitätszuwachs richtet sich konsequent nach der Marktnachfrage.
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Neue Waferplattform ermöglicht hohe Stückzahlen bei GaN-Leistungshalbleitern weltweit effizient
Die neue Fertigungsbasis von Infineon nutzt 300-Millimeter-Wafer für Galliumnitrid-Bauelemente. Sie ist darauf ausgelegt, die GaN-Technologie in großen Mengen herzustellen. Der größere Waferdurchmesser erleichtert hohe Durchsätze bei klar definierten Prozessschritten. Dadurch lassen sich Produktionskapazitäten bedarfsgerecht und industriell skalieren. Die Anlage unterstützt die Entwicklung kommender Leistungshalbleitergenerationen auf GaN-Basis. In Villach werden dafür Fertigungserfahrung und technisches Spezialwissen zusammengeführt. Der Standort festigt seine internationale Bedeutung im Bereich moderner Leistungselektronik.
Bestehende Produktionsflächen ermöglichen schrittweisen Ausbau nach tatsächlichem Bedarf künftig
Infineon integriert die geplante Fertigung in bestehende Reinraumbereiche Villachs direkt. Deren Infrastruktur wird modernisiert und auf neue Technologien vorbereitet zielgerichtet. Die Maßnahme reduziert den Bedarf an zusätzlichen Bauflächen erheblich spürbar. Sie vermeidet außerdem lange Vorläufe für einen vollständigen Neubau weitgehend. Vorhandene Betriebsmittel schaffen günstige Bedingungen für einen modularen Ausbau insgesamt. Die Kapazitätsplanung kann deshalb mit der Nachfrageentwicklung synchronisiert werden flexibel. Damit verbindet das Vorhaben technische Skalierung mit wirtschaftlicher Disziplin konsequent.
Leistungsfähige GaN-Chips unterstützen Elektromobilität, Robotik und digitale Infrastruktur effizient
GaN-Leistungstransistoren verbessern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten wandeln. Diese Eigenschaften unterstützen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung stärkt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Villach startet Ende 2027 bedarfsgerechte Serienfertigung von GaN-Chips planmäßig
Die neue GaN-Fertigung von Infineon in Villach soll gegen Ende 2027 den Betrieb aufnehmen. Für den Zeitraum bis 2034 steht ein Investitionsvolumen von etwa 1,1 Milliarden Euro im Plan. Die Erweiterung der Produktionskapazitäten erfolgt in Abhängigkeit von der Nachfrage nach energieeffizienten Leistungshalbleitern. Infineon kann den Hochlauf deshalb zeitlich und mengenmäßig anpassen. Das reduziert das Risiko einer Überkapazität und schafft zugleich die Möglichkeit, bei steigenden Kundenanforderungen zusätzliche Produktionsleistung bereitzustellen.
Mit 319 Millionen Euro wächst Europas Halbleiterproduktionskapazität weiter deutlich
Die Förderung von 319 Millionen Euro schafft einen finanziellen Rahmen für den Ausbau der Halbleiterproduktion in Europa. Sie stammt aus dem Europäischen Chips Act und unterstützt eine auf hohe Stückzahlen ausgelegte Fertigung in Villach. Das Vorhaben erhöht die Verfügbarkeit moderner Leistungshalbleiter aus europäischer Produktion. Damit trägt es zur Verringerung strategischer Beschaffungsrisiken bei. Die Investition stärkt zugleich den Industriestandort, erweitert technische Kompetenzen und schafft bessere Voraussetzungen für eine sichere Versorgung Europas.
Das Vorhaben verbindet eine neue Wafergeneration mit vorhandenen Produktionsressourcen sinnvoll. In bestehenden Reinräumen entstehen Kapazitäten für leistungsfähige GaN-Komponenten schrittweise künftig. Der modulare Ausbau erlaubt Anpassungen an die jeweilige Nachfrage flexibel. Dies verringert wirtschaftliche Risiken und unterstützt eine effiziente Mittelverwendung dauerhaft. Die Chips verbessern die Stromversorgung energiehungriger digitaler Infrastrukturen erheblich künftig. Ihre Einsatzmöglichkeiten reichen von Servertechnik bis zu mobilen Geräten weltweit. Mit Fördermitteln stärkt Europa seine eigene Halbleiterproduktion und Versorgungssicherheit nachhaltig.
